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SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? MOSFET圖2. 平面柵型MOSFETN+襯底(Substrate)：高摻雜，作為漏極。N-外延層(Drift Layer)：低摻雜，用于承受高阻斷電壓。P-body區(qū)：P型阱區(qū)，通過離子注入形成。其上方是源極的N+區(qū)。柵極(Gate)：在SiO2絕緣層（柵氧）之上，用于控制溝道導(dǎo)通。源極
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羅姆發(fā)布第5代碳化硅MOSFET，導(dǎo)通電阻降低30%

據(jù)羅姆官方消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開發(fā)。新產(chǎn)品通過改進器件結(jié)構(gòu)和優(yōu)化制造工藝，在175℃結(jié)溫（Tj）條件下，導(dǎo)通電阻較上一代產(chǎn)品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC MOSFET在電動汽車（xEV）牽引逆變器等高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色，能夠有效縮小單元體積并提升輸出功率。同時，該芯片還非常適合用于AI服務(wù)器電源和數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備的電源系統(tǒng)，展現(xiàn)了其在高性能應(yīng)用場景中的潛力。
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600V 超結(jié) MOSFET 面向電動汽車、開關(guān)電源及光伏逆變器應(yīng)用

來源：萬高半導(dǎo)體（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）萬高半導(dǎo)體（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是該公司基于 MOS E2 平臺實現(xiàn)量產(chǎn)的首款器件。該平臺及其衍生產(chǎn)品旨在滿足大功率開關(guān)電源（SMPS）與逆變系統(tǒng)的應(yīng)用需求，可為服務(wù)器、工作站、通信整流器、光伏逆變器、電機驅(qū)動及工業(yè)電源系統(tǒng)等廣泛場景帶來更高效率、更高功率密度、更低整體系統(tǒng)成本與更強的可靠性。該器件適用于圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）、LLC 諧振變換器、相移全橋（P
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SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計要點

SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導(dǎo)通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用的場景越來越普遍。不管是SiC MOSFET還是IGBT,并聯(lián)的目標(biāo)都是實現(xiàn)電流的均勻分布,且消除芯片間的振蕩。為了達到這一目標(biāo),我們需要做到三點:1.并聯(lián)芯片參數(shù)盡可能一致2.功率回路、驅(qū)動回路與散熱結(jié)構(gòu)布局一致3.門極驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計作為高速開關(guān)器件,SiC MOSFE
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溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及,和未來智能電網(wǎng)的電力潮流雙向流動,讓SST的商業(yè)價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW級機架演進,傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)已經(jīng)不堪重負,難以承載極端功率密度與能效要求。智算中心正從“算力堆砌”邁入“算電協(xié)同”的關(guān)鍵階段。在這一背景下,SST
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碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價值。我們已經(jīng)介紹了碳化硅如何革新電源設(shè)計、工業(yè)與服務(wù)器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的動態(tài)特性、SiC Combo JFET的應(yīng)用靈活性。本文將介紹利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET以及開關(guān)電源應(yīng)用。1、利用 SiC CJFET替代
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電力電子的未來：2026 MOSFET晶體管趨勢與技術(shù)創(chuàng)新

引言電力電子領(lǐng)域正在飛速發(fā)展，MOSFET 晶體管始終處于創(chuàng)新前沿。隨著 2026 年臨近，這類器件在消費電子、工業(yè)系統(tǒng)等眾多應(yīng)用中變得愈發(fā)不可或缺。2026 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計達到 5952 億美元，正反映出這一增長趨勢。在高效電源轉(zhuǎn)換與管理方案需求持續(xù)攀升的背景下，掌握 MOSFET 技術(shù)的最新趨勢與參數(shù)規(guī)格，對工程師和設(shè)計人員至關(guān)重要。本文深入解析 MOSFET 晶體管的關(guān)鍵參數(shù)、設(shè)計要點與應(yīng)用場景，展望其在未來電力電子領(lǐng)域的核心作用。技術(shù)概述MOSFET（金屬?氧化物?半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是
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IGBT與MOSFET：數(shù)據(jù)對比選型以助力優(yōu)化電子設(shè)計

引言在飛速發(fā)展的電子設(shè)計領(lǐng)域，選用合適的元器件對優(yōu)化性能、效率與可靠性至關(guān)重要。** 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）** 是工程師在電力電子應(yīng)用中經(jīng)常選用的兩類核心器件。深入理解二者的差異、參數(shù)特性與適用場景，將顯著提升設(shè)計方案的整體效率。隨著全球半導(dǎo)體市場持續(xù)增長，預(yù)計到 2026 年市場規(guī)模將達到 5952 億美元，對優(yōu)化電子設(shè)計的需求也變得前所未有的迫切。本文將基于數(shù)據(jù)對 IGBT 與 MOSFET 展開對比，為你的電子項目決
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IRF540 功率MOSFET實際應(yīng)用：案例研究與深度解析

本文面向工程師與采購人員的專業(yè)指南，涵蓋 IRF540 功率 MOSFET 的實際應(yīng)用、案例研究與深度解析，包含技術(shù)規(guī)格、應(yīng)用場景及采購建議。引言在不斷發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域中，IRF540 功率 MOSFET 憑借其通用性脫穎而出，成為眾多應(yīng)用中的核心元器件。這款功率 MOSFET 以處理大功率的能力著稱，已成為汽車電子、消費電子等行業(yè)的常用器件。據(jù)預(yù)測，到 2026 年全球半導(dǎo)體營收將達到 5952 億美元，市場對 IRF540 功率 MOSFET 這類高可靠性元器件的需求持續(xù)攀升。本文將深入解析其技術(shù)參
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SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護方案探討

在設(shè)計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應(yīng)付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復(fù)雜了。因為在相同的電流等級下，SiC MOSFET的短路耐受時間通常比IGBT小很多。這主要是因為SiC MOSFET的芯片尺寸比傳統(tǒng)的硅基器件小很多，同時非常薄的外延層使得發(fā)熱位置更加集中（詳細原因闡述見談?wù)凷iC MOSFET的短路能力）。這給短路保護設(shè)計帶來了巨大的挑戰(zhàn)，即使是微小的系統(tǒng)設(shè)計差異也會顯著影響S
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英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設(shè)計要點

在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領(lǐng)軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，推出了CoolSiC? MOSFET G2系列產(chǎn)品，以全方位的性能突破，重新定義了SiC MOSFET的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為光伏、儲能、電動汽車充電等關(guān)鍵領(lǐng)域注入強勁動力。相比于G1單管器件僅有650V/1200V兩檔電壓等級，G2系列電壓等級更加全面，涵蓋400V/650V/750V/1200V/1400V，以及豐富多樣的封裝形式
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選用合適的MOSFET：下一項目的核心選型要點

引言在飛速發(fā)展的電子領(lǐng)域中，選擇合適的 MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）對項目成功至關(guān)重要。據(jù)預(yù)測，到 2026 年半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模將達到 5952 億美元，對高效、可靠 MOSFET 的需求持續(xù)增長。MOSFET 在電源管理、開關(guān)應(yīng)用及信號放大中扮演關(guān)鍵角色，已成為現(xiàn)代電子設(shè)計中不可或缺的器件。充分理解其規(guī)格參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊及應(yīng)用電路，是保證設(shè)計實現(xiàn)最優(yōu)性能與可靠性的關(guān)鍵。技術(shù)概述MOSFET 是用于放大或切換電子信號的半導(dǎo)體器件。憑借高效率與快速開關(guān)特性，它成為眾多電子電路的核心組
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Diodes推出行業(yè)領(lǐng)先的100V PowerDI?8080-5封裝MOSFET

Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行業(yè)領(lǐng)先的超低RDS（ON）100V MOSFET，擴充其PowerDI8080-5 汽車級*N溝道MOSFET產(chǎn)品組合。與新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8mm x 8mm海鷗翼引線器件均設(shè)計用于最大限度降低導(dǎo)通損耗、減少熱量產(chǎn)生，并提升整體效率。其應(yīng)用涵蓋電池電動汽車（BEV）、混合動力汽車（HEV）及內(nèi)燃機（ICE）平臺中的無刷直流（BLDC）和直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。工程師可利用額定電壓100V DMTH10H1M
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麥米電氣采用英飛凌CoolMOS? 8 MOSFET驅(qū)動其新一代AI服務(wù)器

【2026年3月25日, 中國上海訊】中國人工智能服務(wù)器電源供應(yīng)商深圳麥格米特電氣股份有限公司（以下簡稱：麥米電氣）宣布，將在其5.5 kW人工智能（AI）服務(wù)器電源中采用由全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）最新推出的CoolMOS? 8超結(jié)MOSFET技術(shù)。為滿足日益增長的AI服務(wù)器需求，麥米電氣依托英飛凌CoolMOS? 8半導(dǎo)體器件，實現(xiàn)了高效率與白金級性能?；谠摷夹g(shù)，麥米電氣面向AI服務(wù)器及開放計算生態(tài)系統(tǒng)開發(fā)出一套緊湊
關(guān)鍵字：麥米電氣英飛凌 CoolMOS 8 MOSFET AI服務(wù)器

Vishay采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目標(biāo)在于提升汽車、能源、工業(yè)及通信系統(tǒng)中高頻應(yīng)用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS
關(guān)鍵字： Vishay SOT-227 1200V SiC MOSFET 功率模塊

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]